跟LiCoO2不同，借氢家口将力家氢尖晶石型的材料是一种半导体。

现任北京石墨烯研究院院长、腾能示北京大学纳米科学与技术研究中心主任。飞张范城2005年当选中国科学院院士。

在超双亲/超双疏功能材料的制备、争进表征和性质研究等方面，争进发明了模板法、相分离法、自组装法、电纺丝法等多种有实用价值的超疏水性界面材料的制备方法。入国2011年获得第三世界科学院化学奖。此外，市名在纯净和掺杂的PtD-y晶体中观察到了与EnT过程耦合的显着PL各向异性。

借氢家口将力家氢制备出多种具有特殊功能的仿生超疏水界面材料。发展了多种制备有机纳米结构的方法，腾能示并借此开发了多种低维有机纳米功能材料，包括多色发光、白光材料以及光波导和紫外激光器材料等。

坦白地说，飞张范城尽管其合成是在相对较低的温度下进行的，但目前其商业化的瓶颈在于合成效率低和成本高。

这项工作突出了界面设计在基于纳米流体膜的渗透能转换系统的构建中的重要性，争进证明了聚电解质凝胶作为高性能界面材料在非均相渗透发电领域的巨大前景。近年在ScienceAdvances，入国ACSNANO等国际顶级期刊上来发表学术论文100余篇。

区别于硅基场效应管缩放技术，市名硅基存储器很早停止了器件物理尺寸的缩小。基于二维材料异质结构的浮栅闪存，借氢家口将力家氢凭借着其原子薄的结构和出色的电荷传输能力，借氢家口将力家氢成为下一代闪存的理想选择，具有小型化，高存储容量，切换速度快和低功耗等特点。

腾能示本文参考文献： EnxiuWu,YuanXie,ShijieWang,DaihuaZhang,XiaodongHu,JingLiu.Multiple-levelFlashMemoryBasedonStackedAnisotropicReS2-BoronNitride-GrapheneHeterostructures.Nanoscale,2020,DOI:10.1039/D0NR03965A.图文导读图1：ReS2器件结构及其各向异性电学性能表征图2：b轴晶向上ReS2存储器性能表征图3：晶向相关的ReS2多位闪存设计 通讯作者及团队介绍胡晓东天津大学教授。受邀NatureElectronics、飞张范城ACSNANO、Nano-MicroLetter、AppliedPhysicsLetters等国际知名期刊的审稿人。